目前記憶體主力製程才剛進入20nm，但看來可能只是過渡，
目前有消息傳出 Samsung、SK Hynix、Micron 明年就要量產 1x nm 的 DRAM 顆粒，
Samsung 最早預定明年Q1，Micron 的進度最慢，但也表態將會再明年爭取量產 1x nm 製程。
Samsung、SK Hynix、Micron 這三家廠商都在致力於2016年量產 1x nm 製程的DRAM晶片，
其中以 Samsung 的進度最快，他們去年3月份才量產了 20nm 製程，但現在正在修改製程，
已經完成了 1x nm 量產驗證工作，預計2016年第一季就可以量產新製程 DRAM。
SK Hynix 的進度比 Samsung 略慢，2016年他們計劃提升 20nm 製程 DRAM 晶片的產能，
但2016年上半年也會完成 1x nm 製程的 DRAM 開發工作，並爭取於2016年下半年量產。
而 Micron 的進度是最慢的，在製程上也比韓國兩家公司落後1-2代，
不過 Micron 的CEO Mark Durcan也表態稱
2016年他們的目標除了提升 20nm 產能之外，也會爭取量產 1x nm 製程的DRAM。
原文說的這個 1x nm 等同於 18nm 製程，但實際上並不是數字20到18這麼簡單，
如果製程只是改變了2個nm，廠商肯定不會這麼大動干戈。
在儲存晶片從20+nm進入10+nm之後，廠商對製程的描述已經不再使用具體的數字了，
20nm之後是 1x nm，再往後則是 1y nm，甚至還有 1z nm 製程的說法，
至於 XYZ 具體的含義，由於每家公司的製程並不一樣，所以缺少詳細的解釋。
來源：
http://english.etnews.com/20151228200002
http://www.expreview.com/44798.html
目前有消息傳出 Samsung、SK Hynix、Micron 明年就要量產 1x nm 的 DRAM 顆粒，
Samsung 最早預定明年Q1，Micron 的進度最慢，但也表態將會再明年爭取量產 1x nm 製程。
Samsung、SK Hynix、Micron 這三家廠商都在致力於2016年量產 1x nm 製程的DRAM晶片，
其中以 Samsung 的進度最快，他們去年3月份才量產了 20nm 製程，但現在正在修改製程，
已經完成了 1x nm 量產驗證工作，預計2016年第一季就可以量產新製程 DRAM。
SK Hynix 的進度比 Samsung 略慢，2016年他們計劃提升 20nm 製程 DRAM 晶片的產能，
但2016年上半年也會完成 1x nm 製程的 DRAM 開發工作，並爭取於2016年下半年量產。
而 Micron 的進度是最慢的，在製程上也比韓國兩家公司落後1-2代，
不過 Micron 的CEO Mark Durcan也表態稱
2016年他們的目標除了提升 20nm 產能之外，也會爭取量產 1x nm 製程的DRAM。
原文說的這個 1x nm 等同於 18nm 製程，但實際上並不是數字20到18這麼簡單，
如果製程只是改變了2個nm，廠商肯定不會這麼大動干戈。
在儲存晶片從20+nm進入10+nm之後，廠商對製程的描述已經不再使用具體的數字了，
20nm之後是 1x nm，再往後則是 1y nm，甚至還有 1z nm 製程的說法，
至於 XYZ 具體的含義，由於每家公司的製程並不一樣，所以缺少詳細的解釋。
來源：
http://english.etnews.com/20151228200002
http://www.expreview.com/44798.html