Samsung 最近開始準備量產基於 UFS 2.0 的256GB快閃記憶體晶片，
為下一代的移動周邊推升更高的儲存容量。
Samsung UFS 2.0 256GB 基於 V-NAND 技術，不僅容量大，速度也很快，
讀取最高為850MB/s，寫入260MB/s，讀取的部分甚至比 SATA 介面的 SSD 還要快速，
隨機讀寫可以到45000、40000 IOPS，比第一代的 UFS 19000、14000IOPS 還要快兩倍以上。
搭配 USB3.0 的傳輸介面，傳輸一部90分鐘的1080p影片僅需要12秒。
Samsung UFS 2.0 256GB 最快會在9月份有上市應用產品，
很有可能會率先用於 Galaxy Note 6 上面。
來源：https://news.samsung.com/global/sam...sal-flash-storage-for-high-end-mobile-devices
為下一代的移動周邊推升更高的儲存容量。
Samsung UFS 2.0 256GB 基於 V-NAND 技術，不僅容量大，速度也很快，
讀取最高為850MB/s，寫入260MB/s，讀取的部分甚至比 SATA 介面的 SSD 還要快速，
隨機讀寫可以到45000、40000 IOPS，比第一代的 UFS 19000、14000IOPS 還要快兩倍以上。
搭配 USB3.0 的傳輸介面，傳輸一部90分鐘的1080p影片僅需要12秒。
Samsung UFS 2.0 256GB 最快會在9月份有上市應用產品，
很有可能會率先用於 Galaxy Note 6 上面。
來源：https://news.samsung.com/global/sam...sal-flash-storage-for-high-end-mobile-devices