記憶體 進入TB級, Intel 展示 3D Xpoint 記憶體

soothepain

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Intel 在去年與 Micron 攜手推出 3D Xpoint 革命性儲存技術,
其性能、耐用性是普通 NAND 的1000倍,儲存密度則是 DRAM 的10倍,
這種劃時代的革命性產品也將會在今年推出,最近已經有實品展示。

Intel 開發的 DIMM DDR4 插槽的 3D XPoint 原型產品
3d-point-6tb-ram.jpg


DRAM 記憶體速度快,效能強,但容量小,而且斷電會失去數據,
而 NAND 快閃記憶體容量大,成本低,但效能比 DRAM 要差,不過它是非易失性的,斷電後數據還在,
研發人員一直在尋找結合兩種儲存晶片優點的產品來取代記憶體。
Intel 的 3D XPoint 就具備了這樣的功能,在某種程度上它已經模糊了記憶體與快閃記憶體之間的界限。

3d_xpoint_1.png



未來 Intel 將會推出基於 3D XPoint 技術的儲存產品,最高階的就是用於系統記憶體的產品,
Intel 表示在一套雙路CPU系統平台上,3D XPoint 技術的記憶體容量可達6TB。






來源:
http://www.tweaktown.com/news/49408...ology-enables-up-6tb-system-memory/index.html
http://www.expreview.com/44929.html
 
感謝 Intel 推出 3D Xpoint.

這樣, DRAM 提早進入 10nm 工藝, 加上八層封裝堆疊, 得以早日實現.
估計那時, 一條 512GB DIMM 的 DRAM 也推出了.

如果是上圖那種兩排顆粒伺服器版的, 剛剛好一條 DRAM DIMM 就是 1TB.


聽說這種 NAND flash DIMM 的控制器是做在 CPU 內, 大家慢慢等吧!
 
就等這個3~5年後普及了;em03;
 
如果真的有這特性,理論上將來也沒有開機的差別了,關閉電源後重開就自動恢復關機前狀態才是。
不考慮外接IO的變化的話,等於自動復原了嘛...
 
天價才是問題....
 
如果真的有這特性,理論上將來也沒有開機的差別了,關閉電源後重開就自動恢復關機前狀態才是。
不考慮外接IO的變化的話,等於自動復原了嘛...

壽命問題有考慮嗎?.........
如果中毒病毒躲在裡面.........中毒無限循環
還是DRAM耐操 重開機就幫你清掉不需要的垃圾..........
RAMDISK BT連續一直操也不壞顆粒
 
壽命問題有考慮嗎?.........
如果中毒病毒躲在裡面.........中毒無限循環
還是DRAM耐操 重開機就幫你清掉不需要的垃圾..........
RAMDISK BT連續一直操也不壞顆粒
就我個人而言.這是我拿來取代SSD及傳統HDD的東西
 
Intel 真的是超強
 
不推出新的東西,DRAM的部份會一直被三星牽著走。