Intel 在去年與 Micron 攜手推出 3D Xpoint 革命性儲存技術,
其性能、耐用性是普通 NAND 的1000倍,儲存密度則是 DRAM 的10倍,
這種劃時代的革命性產品也將會在今年推出,最近已經有實品展示。
Intel 開發的 DIMM DDR4 插槽的 3D XPoint 原型產品
DRAM 記憶體速度快,效能強,但容量小,而且斷電會失去數據,
而 NAND 快閃記憶體容量大,成本低,但效能比 DRAM 要差,不過它是非易失性的,斷電後數據還在,
研發人員一直在尋找結合兩種儲存晶片優點的產品來取代記憶體。
Intel 的 3D XPoint 就具備了這樣的功能,在某種程度上它已經模糊了記憶體與快閃記憶體之間的界限。
未來 Intel 將會推出基於 3D XPoint 技術的儲存產品,最高階的就是用於系統記憶體的產品,
Intel 表示在一套雙路CPU系統平台上,3D XPoint 技術的記憶體容量可達6TB。
來源:
http://www.tweaktown.com/news/49408...ology-enables-up-6tb-system-memory/index.html
http://www.expreview.com/44929.html
其性能、耐用性是普通 NAND 的1000倍,儲存密度則是 DRAM 的10倍,
這種劃時代的革命性產品也將會在今年推出,最近已經有實品展示。
Intel 開發的 DIMM DDR4 插槽的 3D XPoint 原型產品

DRAM 記憶體速度快,效能強,但容量小,而且斷電會失去數據,
而 NAND 快閃記憶體容量大,成本低,但效能比 DRAM 要差,不過它是非易失性的,斷電後數據還在,
研發人員一直在尋找結合兩種儲存晶片優點的產品來取代記憶體。
Intel 的 3D XPoint 就具備了這樣的功能,在某種程度上它已經模糊了記憶體與快閃記憶體之間的界限。

未來 Intel 將會推出基於 3D XPoint 技術的儲存產品,最高階的就是用於系統記憶體的產品,
Intel 表示在一套雙路CPU系統平台上,3D XPoint 技術的記憶體容量可達6TB。
來源:
http://www.tweaktown.com/news/49408...ology-enables-up-6tb-system-memory/index.html
http://www.expreview.com/44929.html