記憶體頻率與INTEL內顯之連動影響測試[含雷電miniDisPlay介面]

[Toppc]

測試平臺:
INTEL 3570K 小超4G
MSI Z77A-GD80
GSKILL DDR3-2800 4Gx2
OCZ AGILITY 60G SSD
影隼S 450瓦極致黃金版
HDT 1283用放的

雷電介面轉D-SUB

先看看標準D-SUB介面下的測試
DDR3-1600 CL11-11-11 1T

VANTAGE @P4169

3D MARK 11 E-MODE @E1505

3D MARK 11 P-MODE @P776

3D MARK 11 X-MODE @X239

新版3D MARK
639
5647
52482

接下來秀看看用雷電介面的miniDislay跑看看 DDR3-1600看看有無落差

E1507

P774

X232

將記憶體超到DDR3-2133 一樣保持CL11-11-11 1T

VANTAGE @P4339

3D MARK 11 E-MODE @E1531

3D MARK 11 P-MODE @P790

3D MARK 11 X-MODE @X250

新版3D MARK 依序分別為
675
5873
57427

試一下3D MARK VANTAGE 跑DDR3-2666時參數稍微放鬆後的差異

VANTAGE @P4397

3D MARK 11 E-MODE @E1537

3D MARK 11 P-MODE @P792

3D MARK 11 X-MODE @

新版3D MARK 依序分別為
675
5862
59404

拉緊一下參數試看看 DDR3-2666 CL10-13-13

3D MARK VANTAGE @P4399

新版3D MARK依序為
681
5979
59548

大概列一下表格
DDR3-1600 到DDR3-2666 CL11-14

包含DDR32666 CL10的參數變化差異

 

[minihi001]

差異不多…感覺內顯的核心效能就那樣，APU記憶體高影響比較大

林董要不要來個1600單通道試試？因為預算問題會用到內顯就只會配單條

 

[Happypc]

圖表看起來影響不會很大(3D MARK) ;ranger;