全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出600V絕緣柵雙極電晶體 (IGBT) 系列，能夠在最高3kW的不斷電系統 (UPS) 及太陽能轉換器，減少高達30%的功率耗損。
這款新特定應用元件利用IR最新一代的場終止溝道技術降低傳導和開關損耗，並為低短路要求的20kHZ開關作出優化，提升UPS和太陽能轉換器應用的功率轉換效率。
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「傳統來說，每當IGBT元件應用於UPS和太陽能轉換器所使用的頻率時就會出現極大的開關損耗。IR新推出的溝道IGBT元件結合了較低的開關能量和低傳導耗損。這些較低的耗損可以為終端用家提升效率、縮少設備單元的體積，以及節省發電的成本。」
與超快速軟恢復二極管封裝在一起的新IGBT系列，較穿透型(PT) 和非穿透型 (NPT) IGBT 擁有較低的集電極到發射極飽和電壓(VCE(on)) 及總的開關能源量 (ETS) 。此外，內置超快速軟恢復二極管也能提升效率且減低EMI。
產品基本規格如下：
產品詳細數據可瀏覽 http://www.irf.com。
新元件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)，並已接受批量訂單。
這款新特定應用元件利用IR最新一代的場終止溝道技術降低傳導和開關損耗，並為低短路要求的20kHZ開關作出優化，提升UPS和太陽能轉換器應用的功率轉換效率。
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「傳統來說，每當IGBT元件應用於UPS和太陽能轉換器所使用的頻率時就會出現極大的開關損耗。IR新推出的溝道IGBT元件結合了較低的開關能量和低傳導耗損。這些較低的耗損可以為終端用家提升效率、縮少設備單元的體積，以及節省發電的成本。」
與超快速軟恢復二極管封裝在一起的新IGBT系列，較穿透型(PT) 和非穿透型 (NPT) IGBT 擁有較低的集電極到發射極飽和電壓(VCE(on)) 及總的開關能源量 (ETS) 。此外，內置超快速軟恢復二極管也能提升效率且減低EMI。
產品基本規格如下：
產品詳細數據可瀏覽 http://www.irf.com。
新元件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)，並已接受批量訂單。