Intel Pentium Dual E2140超頻問題

[liu5417]

我的主機板 MSI P6N-SLI MS7350

CPU如標題 1.6G(MHz) 雙核

BIOS:Default System BIOS

記憶體:1GX2 雙通道

我看過很多有關超頻的知識.初步了解是

CPU超頻,主要就是調整 外頻、倍頻跟電壓這3種對吧

內頻=外頻x倍頻

我看別人說2140超頻,外頻200x8=1.6G

然後是266X8=2.13G、333X8=2.66G、400X8=3.2G

我去我的BIOS找外頻設定如下

FSB Clock (MHz)顯示800 (這是外頻)

然後是Memory Clock (MHz),也是顯示800 (這是記憶體時脈)

第三行是Adjust CPU Ratio 數值是8 (這是倍頻)

怎麼跟別人說的超頻數值都不一樣???

別人都是200外頻,我怎麼顯示的是800?

倍頻雖然一樣是8倍

但這樣不就是 800x8=6.4G ?? 這應該是不對的數值吧 = =?

這顆CPU我沒做過任何超頻的動作,是原始設定就這樣了

這樣子我根本不知道怎麼設定那個數值阿?誰能幫我解答這個疑惑!!!

還有就是,不是說E2140有鎖倍頻嗎?

可是我在BIOS竟然可以條 6、7、8這三種倍率,這算沒鎖嗎?

另外我記憶體這樣還需要超頻嗎?我不知道我記憶體需不需要超

有人說CPU跟記憶體要1:1 那是不是我CPU調1000 記憶體就調1000呢?

還是說要除頻? 除頻是調比800低的意思嗎?

 

[hipotato]

你看能不能直接用相機拍下BIOS裡面的選項給大家看 會比較好講解;couch2;

 

[sagfm08051]

妳看到800是FSB吧~除頻之後外頻就200拉

 

[liu5417]

你看能不能直接用相機拍下BIOS裡面的選項給大家看 會比較好講解;couch2;

這樣可以嗎 ?

 

[liu5417]

妳看到800是FSB吧~除頻之後外頻就200拉

除頻要怎麼做?

 

[hipotato]

從圖片看起來好像沒有調整外頻的選項....

 

[ga66728]

其實CPUZ這軟體 很簡單就告訴你一切了

INTEL 發展階段
以FSB 前端匯流排 400 533 800 1066 1333 1600
而換算下來
分別為100 133 200 266 333 400外頻 猜測應該有4個暫存器

前面100~133~200 為第一階段 P4為代表
後面200~333~400 為第二階段 控肉2為代表
外頻限制住前端匯流排(FSB)發展 所以改變架構

其實不難發現 AMD INTEL 採用的技術是雷同的
在不增加外頻的情況下
經由降低倍頻 達成省電 且前端匯流排 都沒有減少
INTEL I7 經由CPU看 好像是3200~3600MHZ
AMD AM3 經由CPU看最高2000MHZ 可超頻達到2600MHZ 即官方宣稱5200 猜測2個暫存器

INTEL 來看 就算你買最頂級的 或是超頻400外頻
其前端匯流排 也不過 1600MHZ 超500外頻 2000MHZ
跟I7 3200~3600MHZ 相當於倍數成長 這個就是時代改變一切

AMD 也是 K7前端匯流排 為外頻*2 K7依其晶片組 分別為100 133 166 200
也就是前端匯流排 200 266 333 400
754 939 都是200外頻 分為 754低階 800 939高階1000
然後出AM2整合為800 與1000 但由CPU高階低階決定
HT LINK 1.0這時出現 CPUZ顯示800與1000 即官方宣稱1600 與2000 猜測2個暫存器
AM2+
把HT LINK 2.0 倍數原先高階AM2為5X 提升至10X 低階AM2為4X 提升至8X
所以就變成 1600與2000 即官方宣稱3200 與4000 猜測2個暫存器
AM3 HT LINK 3.0
應該是！？
老實說 HT LINK很模糊啊 官方宣稱5200 其實CPUZ顯示2600MHZ 猜測2個暫存器
很容易理解
但處理器只出4000 CPUZ顯示2000MHZ 晶片組能跑2600MHZ(但需都加壓才能達到)
只有INTEL 最容易了解 (以上可能有錯誤)

不過 CPU頻率=外頻*倍頻
這樣不是很好了解

進入正題
晶片能力
MSI P6N SLI 白金版 (Revision 1.0)
北橋晶片 NVIDIA nForce 650i SLI (C55 SPP)
南橋晶片 nF430 (MCP51)
電壓穩壓器 4相
BIOS 1.1 (03/06/2007)
266.7 MHz (FSB1066) 266.7MHz (+0.0%)
從你的BIOS來看
有北橋加壓選項;nq;(加壓可以讓你超越266外頻 不過 可能要改北橋晶片)
但晶片正常運作是266外頻

2140 外頻200x8=1.6G
從65nm體質來看 2.8G~3.0G INTEL製程比較好+0.1~0.2G
以普通體質2.8G來說
2.8G套入公式
CPU頻率=外頻*倍頻
2.8G~3.0G/8=350~375(但受限於你的晶片組266)
於是節能省電功能 讓你能降倍頻6 7 8
Adjust CPU Ratio (這是倍頻)
但是266外頻*8倍頻=你頂多跑2128=2.128G
降倍頻不就更低了

可以試試看 加壓北橋(NB)電壓 只不過要改北橋晶片散熱器
還有定頻PCI-E=100MHZ 鎖住顯示卡頻率

FSB CLOCK 不用說了吧 800等於200外頻這個算是調整外頻吧!
FSB VTT加壓 不用說了吧 前端匯流排等於外頻*4(有人說加壓這個會使CPU跛腳 但不加外頻上不去)
CPU加壓 使CPU頻率提升
Memory加壓 使記憶體頻率提升
NB 北橋晶片加壓 很重要的!記憶體 CPU 溝通的橋樑 (I7做到CPU裡面去了 不過CPU頻率還是一
樣的算法 只有製程提升 頻率才會帶動大改變 架構2~3年很難有重大改變 這一玩會玩死很多人)
SB 南橋晶片加壓 有些人超外頻 之後 卡在硬碟進不去 加看看 (基本很少人在加它)

僅供參考

 

[liu5417]

其實CPUZ這軟體 很簡單就告訴你一切了

INTEL 發展階段
以FSB 前端匯流排 400 533 800 1066 1333 1600
而換算下來
分別為100 133 200 266 333 400外頻 猜測應該有4個暫存器

前面100~133~200 為第一階段 P4為代表
後面200~333~400 為第二階段 控肉2為代表
外頻限制住前端匯流排(FSB)發展 所以改變架構

其實不難發現 AMD INTEL 採用的技術是雷同的
在不增加外頻的情況下
經由降低倍頻 達成省電 且前端匯流排 都沒有減少
INTEL I7 經由CPU看 好像是3200~3600MHZ
AMD AM3 經由CPU看最高2000MHZ 可超頻達到2600MHZ 即官方宣稱5200 猜測2個暫存器

INTEL 來看 就算你買最頂級的 或是超頻400外頻
其前端匯流排 也不過 1600MHZ 超500外頻 2000MHZ
跟I7 3200~3600MHZ 相當於倍數成長 這個就是時代改變一切

AMD 也是 K7前端匯流排 為外頻*2 K7依其晶片組 分別為100 133 166 200
也就是前端匯流排 200 266 333 400
754 939 都是200外頻 分為 754低階 800 939高階1000
然後出AM2整合為800 與1000 但由CPU高階低階決定
HT LINK 1.0這時出現 CPUZ顯示800與1000 即官方宣稱1600 與2000 猜測2個暫存器
AM2+
把HT LINK 2.0 倍數原先高階AM2為5X 提升至10X 低階AM2為4X 提升至8X
所以就變成 1600與2000 即官方宣稱3200 與4000 猜測2個暫存器
AM3 HT LINK 3.0
應該是！？
老實說 HT LINK很模糊啊 官方宣稱5200 其實CPUZ顯示2600MHZ 猜測2個暫存器
很容易理解
但處理器只出4000 CPUZ顯示2000MHZ 晶片組能跑2600MHZ(但需都加壓才能達到)
只有INTEL 最容易了解 (以上可能有錯誤)

不過 CPU頻率=外頻*倍頻
這樣不是很好了解

進入正題
晶片能力
MSI P6N SLI 白金版 (Revision 1.0)
北橋晶片 NVIDIA nForce 650i SLI (C55 SPP)
南橋晶片 nF430 (MCP51)
電壓穩壓器 4相
BIOS 1.1 (03/06/2007)
266.7 MHz (FSB1066) 266.7MHz (+0.0%)
從你的BIOS來看
有北橋加壓選項;nq;(加壓可以讓你超越266外頻 不過 可能要改北橋晶片)
但晶片正常運作是266外頻

2140 外頻200x8=1.6G
從65nm體質來看 2.8G~3.0G INTEL製程比較好+0.1~0.2G
以普通體質2.8G來說
2.8G套入公式
CPU頻率=外頻*倍頻
2.8G~3.0G/8=350~375(但受限於你的晶片組266)
於是節能省電功能 讓你能降倍頻6 7 8
Adjust CPU Ratio (這是倍頻)
但是266外頻*8倍頻=你頂多跑2128=2.128G
降倍頻不就更低了

可以試試看 加壓北橋(NB)電壓 只不過要改北橋晶片散熱器
還有定頻PCI-E=100MHZ 鎖住顯示卡頻率

FSB CLOCK 不用說了吧 800等於200外頻這個算是調整外頻吧!
FSB VTT加壓 不用說了吧 前端匯流排等於外頻*4(有人說加壓這個會使CPU跛腳 但不加外頻上不去)
CPU加壓 使CPU頻率提升
Memory加壓 使記憶體頻率提升
NB 北橋晶片加壓 很重要的!記憶體 CPU 溝通的橋樑 (I7做到CPU裡面去了 不過CPU頻率還是一
樣的算法 只有製程提升 頻率才會帶動大改變 架構2~3年很難有重大改變 這一玩會玩死很多人)
SB 南橋晶片加壓 有些人超外頻 之後 卡在硬碟進不去 加看看 (基本很少人在加它)

僅供參考

原來FSB要除以4才是外頻

那我外頻要調成266 是不是就是把FSB調到1064 ?

我的Memory只有800,如果外頻調到500,Memory=500X2=1000,

會不會因為超過800所以不能超了?

以上續理論

我的極限是400X8=3.2G對吧?

 

[ga66728]

我的Memory只有800,如果外頻調到500,Memory=500X2=1000,
這是以最低除頻比1:1 條件下 (外頻:記憶體)
關於這個看CPUZ這軟體就知道了

而除頻比的提供 在於CPU原本就是有依據時代背景(也就是晶片組支援的記憶體如DDR2-533 DDR2-667 DDR2-800 DDR2-1066 DDR2-800屬於中期 DDR2-1066屬於末期)
或者由主機板提供最低的除頻比

除頻比的目的 原本是讓CPU能完整利用記憶體的速度
因為超外頻 會提升週邊速度
所以沒好RAM(DDR2-1066) 又想上高外頻 只好利用除頻比

我的Memory只有800 所以不能超過800

會不會因為超過800所以不能超了?
其實也不會啦!
因為CPU跟北橋晶片跟記憶體 同樣都可以藉由加壓
來使頻率提升 但頻率提升 自然熱量就來了
如何壓低溫度
於是記憶體散熱片 一堆有的沒有的 我看過記憶體散熱片還有風扇 一整個誇張
記憶體散熱器 要做散熱 比較有難度
因為風扇震動會使卡榫 插槽 接觸不良(但買記憶體散熱器 還不如買超頻版記憶體 不過也需注意有
些超頻版 說穿了 就是加壓達成 那乾脆就自己加 我們要買的是體質好的)

我的極限是400X8=3.2G對吧?
如果只的是CPU的話
3.2G 也要看製程體質好壞
以65nm來講 大概就是2.8G~3.0G
如果說 加壓可以上 換散熱器也可以上 對AMD來說 實在不公平 製程技術小輸INTEL(就像是I3 I5 I7 32nm 跟AM3 45nm 你說同樣上4G 這樣公平嗎?)

對我來說
客觀的看待 不加油添醋
不管是32nm 45nm 其實同樣都有體質很差勁的
你燒機的時候就知道了 重點在於如何壓制CPU在60度以下 以及壓制北橋晶片50度以下
剩下的
加壓 跟不加壓的體質 就解決了

INTEL唯一不同的地方 在於北橋晶片能力 等於外頻能力(依據售價下去定位 所以我不喜歡INTEL貴)
你的問題是卡北橋晶片 只能超266外頻(當然可以改北橋散熱器)
但也需注意不要讓記憶體工作超過DDR2-800

其實以前 我好像寫過 測INTEL外頻極限的方法

 

[liu5417]

我的Memory只有800,如果外頻調到500,Memory=500X2=1000,
這是以最低除頻比1:1 條件下 (外頻:記憶體)
關於這個看CPUZ這軟體就知道了

而除頻比的提供 在於CPU原本就是有依據時代背景(也就是晶片組支援的記憶體如DDR2-533 DDR2-667 DDR2-800 DDR2-1066 DDR2-800屬於中期 DDR2-1066屬於末期)
或者由主機板提供最低的除頻比

除頻比的目的 原本是讓CPU能完整利用記憶體的速度
因為超外頻 會提升週邊速度
所以沒好RAM(DDR2-1066) 又想上高外頻 只好利用除頻比

我的Memory只有800 所以不能超過800

會不會因為超過800所以不能超了?
其實也不會啦!
因為CPU跟北橋晶片跟記憶體 同樣都可以藉由加壓
來使頻率提升 但頻率提升 自然熱量就來了
如何壓低溫度
於是記憶體散熱片 一堆有的沒有的 我看過記憶體散熱片還有風扇 一整個誇張
記憶體散熱器 要做散熱 比較有難度
因為風扇震動會使卡榫 插槽 接觸不良(但買記憶體散熱器 還不如買超頻版記憶體 不過也需注意有
些超頻版 說穿了 就是加壓達成 那乾脆就自己加 我們要買的是體質好的)

我的極限是400X8=3.2G對吧?
如果只的是CPU的話
3.2G 也要看製程體質好壞
以65nm來講 大概就是2.8G~3.0G
如果說 加壓可以上 換散熱器也可以上 對AMD來說 實在不公平 製程技術小輸INTEL(就像是I3 I5 I7 32nm 跟AM3 45nm 你說同樣上4G 這樣公平嗎?)

對我來說
客觀的看待 不加油添醋
不管是32nm 45nm 其實同樣都有體質很差勁的
你燒機的時候就知道了 重點在於如何壓制CPU在60度以下 以及壓制北橋晶片50度以下
剩下的
加壓 跟不加壓的體質 就解決了

INTEL唯一不同的地方 在於北橋晶片能力 等於外頻能力(依據售價下去定位 所以我不喜歡INTEL貴)
你的問題是卡北橋晶片 只能超266外頻(當然可以改北橋散熱器)
但也需注意不要讓記憶體工作超過DDR2-800

其實以前 我好像寫過 測INTEL外頻極限的方法

大大~您解釋的真是太詳細了!!這樣子我瞭解超頻是怎麼個一回事了

謝謝您 ^^