Samsung 在立體堆棧 3D V- NAND 快閃記憶體的研發與生產商一直處於領先位置
,其第一代24層堆棧以及第二代32層堆棧的 3D V-NAND 已經應用在多款產品上,
例如Samsung 850 EVO SSD硬碟等。而日前 Samsung 又再宣布,3D V-NAND 將步入第三代,
採用48層堆棧設計的 3D V-NAND 快閃記憶體開始進入量產階段。
據 Samsung 表示,第三代 3D V-NAND 採用48層堆棧技術打造,
屬於 3bit MLC 產品,單核心容量可達256Gb即32GB。
與上一代的單核心128Gb容量的產品相比,第三代 3D V-NAND 不僅容量翻倍,
功耗也有30%下降,而且還可以在現有生產線的基礎上進行生產,生產效率提升40% 。
第三代 3D V-NAND 共計包含853億個儲存單元,每個單元可以儲存3bit數據,
通過48層堆棧和18個數據通道孔打造而成,是 Samsung 接下來新一代 3D V-NAND 產品的主力。
在2015年接下來的時間中,Samsung 將逐步調整生產線,全力量產第三代 3D V-NAND 產品。
來源:http://www.expreview.com/42340.html
,其第一代24層堆棧以及第二代32層堆棧的 3D V-NAND 已經應用在多款產品上,
例如Samsung 850 EVO SSD硬碟等。而日前 Samsung 又再宣布,3D V-NAND 將步入第三代,
採用48層堆棧設計的 3D V-NAND 快閃記憶體開始進入量產階段。

據 Samsung 表示,第三代 3D V-NAND 採用48層堆棧技術打造,
屬於 3bit MLC 產品,單核心容量可達256Gb即32GB。
與上一代的單核心128Gb容量的產品相比,第三代 3D V-NAND 不僅容量翻倍,
功耗也有30%下降,而且還可以在現有生產線的基礎上進行生產,生產效率提升40% 。
第三代 3D V-NAND 共計包含853億個儲存單元,每個單元可以儲存3bit數據,
通過48層堆棧和18個數據通道孔打造而成,是 Samsung 接下來新一代 3D V-NAND 產品的主力。
在2015年接下來的時間中,Samsung 將逐步調整生產線,全力量產第三代 3D V-NAND 產品。
來源:http://www.expreview.com/42340.html