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P5K 系列也會偷加 , 400 外頻以上你設 1.55V 以下照樣不理你 其實不只 VNB , VTT 一樣會偷加 , 也是設低了不理你 ... 不過這無從證明需要多少電壓才能跑 500 ...

偏偏怎麼設低於 1.55V 都不理你 照樣給你偷加 1.55V ...

400 外頻以上 電壓設 1.55V 以下版子是不理你的 照樣給你加到 1.55V P5K 系列也是一樣 ...

四核心在加高壓超頻的時候 耗電非常驚人 尤其是開四個 SP2004 Small FFT Test 時耗電異常驚人 使用請小心 CPU Set 1.60V , 重載時掉壓到 1.50V 4 Blend Test 溫度 , 溫測偏高 , 僅供跟其他測試選項對照 此時透過 Digital PWM 控制介面讀出的耗電量 4 Large FFTs Test 溫度 , 溫測偏高 , 僅供跟其他測試選項對照 此時透過 Digital PWM 控制介面讀出的耗電量 4 Small FFTs Test 溫度 , 溫測偏高 ...

BP6/BE6-II 1.0 2.0/BF6/KA7系列/KT7系列/KT7A系列/KR7系列/KX7系列/KG7系列/AT7系列/KD7系列是我摸過的案子 , 以前我是做硬體的 ... IC7 我只有摸到一點,接下來交給別人做,不過他現在也在 DFI , MAX3 又是另外一個工程師做的 , 之後的版子就跟我都沒有關係了, LP NF2/NF3 HW/BIOS 我自己包辦的 , NF4 開始我只 tune 版子跟 tune bios ... 其他都跟我沒有關係 , 別誤會 , 就這樣 ...

這一批只生產一千片 數量並不多 我們台灣的工廠出這種問題的機會實在不高 可以向你代訂的店家問清楚

普查一下 如果主機板限台灣製的賣比較貴 各位覺得價差多少是合理且可以接受的

兩跟單面 256mb 的還是兩根雙面 512mb ? 兩根雙面 512mb tccd 建議可以試 dram 2.77V~2.85v driving strength=2 or 4 data drive strength=4 max asynchronous latency=8ns read preamble=5.5ns

這個工作的門檻似乎高了點 以前我當工讀生的時候門檻好像沒這麼高 另外 ... 最後是去環電還是陞技上班 ?

要改七八十顆零件 公佈對各位也沒用 但是我就不用混了

剛剛算了一下 彎掉的是 DDR clock 如果不能換 你彎回來又不幸斷掉 那麼四根 DRAM 中會有一根可能會無法使用 不然就要買有使用 DRAM Clock Buffer IC 的 939 主機板 目前唯一一張是 A8N32 Deluxe

會發生這種事情有兩個可能 1 . 主機板設計單一電源耗電過大 超過了接頭單根約 10A 的上限 2 . 公母接頭之間接觸不良 導致接觸點組抗異常變大 但是電流還是這麼多 便會在這個異常組抗變大的點不斷發熱 最後就是你看到的這樣

如果你是要跑極限 TCCD , 可能還是 Ultra-D 或是 SLI-D 比較好 至於 2 * TCCD 可以在 Venus 上平均跑到多少頻率 是不是 100% 都能跑到 DDR600 1T 那也要取樣空間大之後才能知道 我不可能給一個非常明確的答案 如果我這邊怎麼配都可以 你那邊就是不行 那我能怎麼辦 ?

還沒定案 ...

補測試目前極限 ... ps : 2 * TCCD 或 2 * BH5 , 1T , 在這張版子上面不一定會跑的之前的更好 ... 2 * UCCC 1GB 1T 目前難以比較 , 會不會跑的比較好不知道 ... 主要改進是 4 根 DIMM 跑 2T 的超頻能力以及鋁殼固態電容的爽度而已 ... 請勿做過多的不當幻想 2dimm , 1t , 2.5-3-6-3 極限 4dimm , 2t , 2-2-5-2 極限

到 BIOS 中把 Cool & Quiet MAX FID 跟 CPU Multiplier 都改成一樣(例如 9) , 否則你的 3200+ 在 Cool & Quiet 弁鄍普}的時候 , 瞬間最高頻率是 300 * 10 , 幾乎可以說必當無疑 ... 限制最高 Cool & Quiet 運作倍頻以及可以用非整數的最高 Cool & Quiet 倍頻 , 是我特別改出來的 , 如果沒有去設定 Cool & Quiet MAX FID(預設 Auto) 正常情況之下開 Cool & Quiet , 最高倍頻為 CPU 的 Max FID ... 以 3200+ CPU 為例 ...

我有發現有一些雙面的 DRAM 插兩根的時候不能用 Cool&Quiet , 狀況是會容易當機 有此問題的 , 請試試看這個 BIOS 有沒有改善 http://oskarwu.myweb.hinet.net/dfi/betabio...os/NF3LD408.zip

我覺得你好像講反了 ...

這個講起來有點小複雜 且聽我道來 從 SDRAM 開始 , DRAM 開始採用了以 DRAM CLOCK 為同步週期 , 輸入控制訊號線(RAS , CAS ... ETC)為指令(CMD) 輸入位址線(MA , BA ... ETC)為定址線的存取方法 , SDRAM 有十種標準的 COMMAND 告訴 DRAM 我要幹麻 , 由一些輸入控制訊號線組成 ... 其中有四種比較基本的 1 . ACTIVE 2 . READ CMD 3 . WRITE CMD 4 . PRECHARGE ACTIVE 是用來告訴 DRAM 鎖定你要讀寫的東西 位於哪裡(Select Bank &...