- 已加入
- 12/23/05
- 訊息
- 2,419
- 互動分數
- 0
- 點數
- 0
- 年齡
- 44
Intel 總裁兼 CEO Paul Otellini 於舊金山 IDF 論壇上宣佈， Intel 在 32 奈米制程上取得了重大突破，並在現場展示了業內第一款 32 奈米晶片，將超過四百萬個電晶體集成在僅有小數點大小的面積內， Intel 預期 32 奈米將於 2009 年下半年開始量產。
據 Paul Otellini 表示， Intel 成功打造第一款使用下一代 32 奈米制程技術製造的 300 毫米晶圓，這些先進測試晶片的成功開發標誌著英特爾在下一代 32 奈米制程技術規模製造方面取得的重大成就，並帶來最先進的製造技術，實現業內持續領先
據了解， Intel 在大會所展示的 32 奈米測試晶片，是邏輯和靜態隨機存取記憶體（ SRAM ），集成電晶體數量超過 19 億個，使用英特爾第二代高 -k 與金屬柵極電晶體技術，每個記憶位元的晶格面積為 0.182 平方微米，整體裸晶面積為 118 平方毫米，總記憶容量達 291Mbits ，內擁有 PROM 陣列、高速暫存器檔案（暫存器集合群）、高速 I/O 電路、高頻相鎖迴路與時脈電路，最底端則是離散、分離式的測試結構，容納了超過 10 億個電晶體。
詳 : http://www.hkepc.com/?id=156
據 Paul Otellini 表示， Intel 成功打造第一款使用下一代 32 奈米制程技術製造的 300 毫米晶圓，這些先進測試晶片的成功開發標誌著英特爾在下一代 32 奈米制程技術規模製造方面取得的重大成就，並帶來最先進的製造技術，實現業內持續領先
據了解， Intel 在大會所展示的 32 奈米測試晶片，是邏輯和靜態隨機存取記憶體（ SRAM ），集成電晶體數量超過 19 億個，使用英特爾第二代高 -k 與金屬柵極電晶體技術，每個記憶位元的晶格面積為 0.182 平方微米，整體裸晶面積為 118 平方毫米，總記憶容量達 291Mbits ，內擁有 PROM 陣列、高速暫存器檔案（暫存器集合群）、高速 I/O 電路、高頻相鎖迴路與時脈電路，最底端則是離散、分離式的測試結構，容納了超過 10 億個電晶體。
詳 : http://www.hkepc.com/?id=156
