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記憶體 SK Hynix 發布 HBM2E 記憶體, 最高單顆16GB 帶寬最高460GB/s

本帖由 soothepain2019-08-13 發佈。版面名稱:新品資訊

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By soothepain on 2019-08-13 ,09:57
  1. soothepain

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    SK Hynix 今天宣布已開發出業界最高帶寬的 HBM2E DRAM 產品。與之前的 HBM2 相比,新款 HBM2E 大約提升50%的帶寬和100%的容量。

    [​IMG]

    SK Hynix 的 HBM2E 記憶體,其每個針腳傳輸速率為3.6Gbps,搭配1024-bit位寬,支援提供超過460GB/s的超高帶寬。同時,透過利用 TSV(矽通孔)技術,最多可垂直堆疊8個16千兆位晶片,形成16GB數據容量的單個密集封裝。

    SK Hynix 的 HBM2E 可支援需要最高記憶體效能的高階 GPU、超級電腦、機器學習和人工智慧系統等各種尖端領域。與採用模組封裝形式並安裝在系統板上的傳統 DRAM 產品不同,HBM 晶片可以與 GPU 和邏輯晶片等處理器緊密互連,間距僅為幾微米,可實現更快的數據傳輸。

    Samsung 在三月份也發布了自家的 HBM2E 記憶體,將傳輸速率從2.4Gbps提升到3.2Gbps,提升幅度達到33%。同時每晶片的容量提升了兩倍,達到16GB。同樣,尚未可知工作電壓和量產時間。







    來源:https://www.expreview.com/69911.html
     

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