記憶體 SK hynix 宣布採用 1Znm 製程的 16Gb DDR4 顆粒

SK hynix 於今天宣布推出使用 1Znm 製程的 16Gb DDR4 記憶體顆粒,明年開始量產。SK hynix 的 1Znm 製程已經是他們在10nm節點中的第三代製程技術。



相比起上一代 1Ynm,SK hynix 的 1Znm 製程可以提高27%的產量,並且還不需要 EUV 製程的介入,在製程的“性價比”上又提高了許多。而能效比也伴隨著製程提升而增加,與 1Ynm 的8Gb顆粒相比,功耗降低了約40%,而最高的傳輸速率可以提升到3200Mbps,SK hynix 稱他們的 1Znm 顆粒擁有業界最高的密度、速率和能量效率。另外,他們在新製程中還引入了新的物質改善顆粒的電氣效能,並引入了新的設計提高記憶體的穩定性。

現在 DDR4 顆粒的三大生產廠中,美光已經在今年8月份的時候宣布他們的 1Znm 製程量產了,而三星則是更早,在今年3月份就宣布了 1Z 製程的量產,不過三星是宣布用於8Gb顆粒的生產,而現在美光和 SK hynix 都是將 1Znm 用於16Gb顆粒的生產。

而隨著主要記憶體顆粒生產廠切換到產能更高的製程上,記憶體容量可能很快就要翻一倍,從目前主流的16GB加倍到32GB。現在市面上常見的單條16GB記憶體條因為使用的多為8Gb的顆粒,所以多為雙面設計,而在16Gb大容量顆粒量產之後,有望普及單面16GB和雙面32GB的記憶體條。

SK hynix 還計劃將 1Znm 製程拓展到其他生產應用中,比如下一代 DDR5、下一代移動 DRAM LPDDR5 和未來的 HBM3。







來源:
https://news.skhynix.com/sk-hynix-develops-1znm-16gb-ddr4-dram/
https://www.expreview.com/71070.html