儲存設備 有望成為 PLC 候選技術,Kioxia 開發出 Twin BiCS Flash

bisheng

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Taipei, Taiwan
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Kioxia(原 Toshiba Memory)稍早於 IEEE International Electron Devices Meeting 上宣布,其 3D NAND 發展邁向新里程碑,已開發出 Twin BiCS Flash 快閃記憶體技術。Twin BiCS Flash 是因應 3D NAND 堆疊發展競爭而生,因為 96 層製品已經開始普遍應用,而 2020 年更將進入 128 層世代。要持續堆疊層數以確保競爭力和獲利,使得製造難度與生產良率更具挑戰性,Kioxia 早早開始尋求突破。

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有別於常規的圓形電荷儲存(Charge Trap)架構技術,Kioxia 藉由分割閘極以減小單元尺寸這途徑,新開發出特殊的半圓形浮動閘極(Floating Gate),當前命名為 Twin BiCS Flash。如設計此能夠縮小單元尺寸,同時也可以擁有更多位元,兩者都能夠實現儲存密度提升。Kioxia 指出經實證,Twin BiCS Flash 除了有利於 QLC(4bit / cell)運用,更是邁向 PLC(5bit / cell)發展可行的候選方案。

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