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晶片巨人英代爾公司日前宣佈，其將為位於美國亞利桑納州錢德勒市的Fab 12投資20億美元，從而將其從200毫米晶圓廠轉換為300毫米晶圓廠。Fab12的轉換過程計畫將於2005年底全部完成，而這座轉換後的晶片工廠將首次生產65納米製程的處理器。目前Intel Pentium4處理器採用90納米製程，而65納米製程可以生產出工作頻率更高的處理器。
當轉換工作結束之後，新的Fab 12將變成英代爾的第五座300毫米晶圓廠。要知道，5座300毫米晶圓廠提供的的製造能力相當於10座200毫米晶圓廠所能提供的總和。英代爾的另外四座300毫米晶圓廠分別位於美國俄勒岡州的Hillsboro（兩座），新墨西哥州的Rio Rancho，以及愛爾蘭的Leixlip。
“這個項目是英代爾首次將一座現有的200毫米晶圓廠完全轉換為300毫米晶圓廠。” 英代爾資深副總裁兼技術製造部總經理Bob Baker對此評論道。
目前為止，關於英代爾65納米處理器以及生產這種處理器的晶圓廠的資訊還很少，但是我們已經知道了一些這種新工藝製程的特性。未來的新處理器產品中最重要的核心技術包括英代爾的新型電晶體，應變矽技術，以及使用全新的低介電常數絕緣體的銅互連技術。
英代爾新的65納米製程將會使電晶體的尺寸僅有35納米，這將是世界上已經量產的最小的、性能最高的CMOS電晶體。作為比較，目前量產的最先進的電晶體，也就是在英代爾的Pentium 4 Prescott處理器中所使用的電晶體，尺寸為50納米。更小且更快的電晶體能製造出速度更高的處理器。
英代爾已經在新的製程中內建了第二代應變矽技術。應變矽技術能夠提供更高的驅動電流，在提高電晶體速度的同時僅增加2%的製造費用。
新的製程中集成了8個銅互連層，並且使用低介電常數（Low-K）絕緣體材料，從而增加晶片內的信號速度，同時降低晶片的弁荂C
英代爾曾於2003年11月底展示了首個能工作的65納米製程的矽片，並計畫於2005年正式進入商業化生產階段。最早使用65納米製程生產的處理器可能會是“Tejas”，其內部的L2快取將由90納米製程時的1MB增加到2MB。Tejas處理器將採用全新的指令集、分支預測弁鄔M超線程技術，支援64位計算技術，初期上市的工作頻率將在4~4.2GHz之間。
出處
當轉換工作結束之後，新的Fab 12將變成英代爾的第五座300毫米晶圓廠。要知道，5座300毫米晶圓廠提供的的製造能力相當於10座200毫米晶圓廠所能提供的總和。英代爾的另外四座300毫米晶圓廠分別位於美國俄勒岡州的Hillsboro（兩座），新墨西哥州的Rio Rancho，以及愛爾蘭的Leixlip。
“這個項目是英代爾首次將一座現有的200毫米晶圓廠完全轉換為300毫米晶圓廠。” 英代爾資深副總裁兼技術製造部總經理Bob Baker對此評論道。
目前為止，關於英代爾65納米處理器以及生產這種處理器的晶圓廠的資訊還很少，但是我們已經知道了一些這種新工藝製程的特性。未來的新處理器產品中最重要的核心技術包括英代爾的新型電晶體，應變矽技術，以及使用全新的低介電常數絕緣體的銅互連技術。
英代爾新的65納米製程將會使電晶體的尺寸僅有35納米，這將是世界上已經量產的最小的、性能最高的CMOS電晶體。作為比較，目前量產的最先進的電晶體，也就是在英代爾的Pentium 4 Prescott處理器中所使用的電晶體，尺寸為50納米。更小且更快的電晶體能製造出速度更高的處理器。
英代爾已經在新的製程中內建了第二代應變矽技術。應變矽技術能夠提供更高的驅動電流，在提高電晶體速度的同時僅增加2%的製造費用。
新的製程中集成了8個銅互連層，並且使用低介電常數（Low-K）絕緣體材料，從而增加晶片內的信號速度，同時降低晶片的弁荂C
英代爾曾於2003年11月底展示了首個能工作的65納米製程的矽片，並計畫於2005年正式進入商業化生產階段。最早使用65納米製程生產的處理器可能會是“Tejas”，其內部的L2快取將由90納米製程時的1MB增加到2MB。Tejas處理器將採用全新的指令集、分支預測弁鄔M超線程技術，支援64位計算技術，初期上市的工作頻率將在4~4.2GHz之間。
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