[速度、時序比較] 廣穎電通Xpower DDR3-2133 4GB KIT之超頻體驗

hohohe12

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這陣子標準時脈的DDR3記憶體模組價格不斷滑落,引起蠻多人討論是哪個廠牌的單支DDR3 1333 4GB模組降到破千門檻,以容量、價格為主要採購考量的人,想必都趁此時出手把記憶體容量一次補足。小弟也沾上這次記憶體大降價熱潮,幫家裡電腦搭載的記憶體容量作了升級。;tongue;

最近也自組Intel P67平台準備,把遊戲主機作升級,想當然我也是I社出包事件一員,現在也是靜靜等待後續換貨解決。P67新平台入手服役後,原本計畫手上使用年餘的DDR3 1600 4GB KIT記憶體模組繼續使用,但是它在之前使用記錄就是只能穩穩地運作於DDR3 1600,有時心血來潮玩玩CPU超頻,甚至必須調降記憶體速度才行,令人覺得總是有那麼美中不足。;x;

對的東西應該擺在對的位置!是的,我應該是需要一組超頻記憶體模組產品才對!上網看看最近有哪些超頻記憶體模組產品符合需求,再看看當下口袋深度。:PPP:

託友人幫忙入手這組廣穎電通推出Xpower系列的DDR3-2133 4GB KIT,東西到手後,回家上網查詢,這組套裝記憶體是Xpower系列最高速的雙通道版本,該系列還有DDR3-1600、1800、2000版本,這四款不同記憶體速度的模組都有雙通道 (2GBx2)及三通道(2GBx3),完整支援Intel平台。

東西入手後,放上P67新平台運作後,也進行新玩具一連串的超頻體驗,這裡就跟大家分享。先行開箱介紹吧!;em25;

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外包裝背面一側打印這組Xpower DDR3-2133 4GB套裝記憶體模組是正港MIT貨,廣穎電通提供終身保固服務,工作電壓為1.65V,上機後才知道這樣電壓設定是啟用X.M.P.模式才需要,不然只需1.5V工作電壓。

另外,以圖示呈現這組Xpower DDR3-2133 4GB KIT散熱機制,每支記憶體模組搭載金黃色散熱片,感覺蠻酷炫的。散熱片採用「斜線剖溝」的方式來增加散熱面積。

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拆了封膜,打開包裝盒,這組Xpower DDR3-2133 4GB套裝記憶體模組現身!

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這組Xpower DDR3-2133 4GB套裝記憶體模組由兩隻容量是2GB的DDR3記憶體組成,相當顯眼的金黃色外觀,蠻大的散熱片面積,把這兩位正反面合照一張。

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檢視產品資訊標籤,上面有標示這組2GB記憶體模組的產品編號,以及運作於DDR3 2133速度時,標準CL值為9。

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檢視一下記憶體模組的PCB版,上頭標示著通過94V-0防火規範。

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另一側PCB板上頭的數字,透露出這組2GB記憶體模組採用8層PCB版製作。

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檢視單支記憶體模組的側邊,這個角度可以散熱片的剖溝造型,而且每片鋁製金黃色散熱片緊密貼合著記憶體顆粒。因為這個因素只好取消察看記憶體顆粒的念頭,個人深怕強行移開散熱片,記憶體顆粒會捨不得分手。;face12;

記憶體模組的兩面都有配置記憶體晶片,一共有16顆記憶體顆粒,這樣可以判斷出單顆記憶體顆粒容量是128Mx8。

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在廣穎電通網站有找到這組Xpower DDR3-2133 4GB套裝記憶體模組產品規格:
記憶體類型:Xpower DDR3 Memory
針腳及模組:240Pin Long-DIMM
頻率:DDR3-1600MHz / 1800MHz / 2000MHz / 2133MHz
功能:Unbuffer Non-ECC Memory
容量:4GB(2GBx2)
顆粒:128Mx8 (bit)
電壓:1.65 V
CL值:8 (1600MHz) / 9 (1800/2000/2133MHz)
保固:終身保固

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把Xpower DDR3-2133 4GB套裝記憶體模組上到最新(也剛出包)的Intel P67平台,測試模式期間把CORE i5 2500K OC 4.5 GHz,相關硬體配備列出。
處理器:Intel CORE i5 2500K (OC 4.5 GHz,100X45)
主機板:技嘉 P67A-UD4
主機板BIOS:F7b記憶體:Xpower DDR3-2133 2GBX2 (9-9-9-24)
硬碟:Seagate ST31000528AS-3Y/P 1TB
顯示卡:HD6870 (900/1050 MHz)
螢幕:ASUS VK266H(1920 X 1200)
電源供應器:ANTEC HCG 620W
顯示驅動程式:ATI Catalyst 11.1
主機板晶片驅動程式:Intel Chipset Device Software 9.2.0.1021、Intel Rapid Storage 10.1.0.1008
作業系統:Windows 7 Ultimate X32中文版

測試軟體包括PCMark 05(v1.02 Patch)、AID64_V1.50.1219 Beta:Cache & Memory Benchmark、Sandra Lite 2011c (2011.1.17.30)、MaxxMEM² - PreView v1.91、CrystalMark 2004R3軟體。

測試記憶體速度部分,原本規劃直接由DDR3 1600速度起跑,接著測試記憶體X.M.P(Extreme Memory Profile)設定。上機後發現,如果主機板BIOS沒有強制設定記憶體速度的話,那麼這組記憶體的預設速度會是DDR3 1333,工作時序為9-9-9-24-33。個人起初猜測是為了提高相容性,所以記憶體預設速度沒有設置為DDR3 1600,後來看到CPU-Z 1.56.2記憶體資訊,答案揭曉了,這是DDR3 1333記憶體特別挑選。;tongue;

另外,經由CPU-Z 1.56.2記憶體資訊也發現,記憶體SPD值寫入4組,其中DDR3 2133以及2286兩組有通過英特爾的X.M.P認證,兩者工作時序相同,皆為9-10-9-24-51,工作電壓增至1.65V。看來這組記憶體稍微放慢CL值,並加強工作電壓來獲得更高工作時脈。;x;

好了,有了這些狀況,這次測試規劃就由DDR3 1333開始,接著DDR3 1600設定,最後DDR3 2133、2286(X.M.P設定)。

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下一頁-DDR3 1333 CL=9-9-9-24-33測試
[multipage=DDR3 1333 CL=9-9-9-24-33]






【DDR3 1333 CL=9-9-9-24-33測試】

主機板BIOS沒有強制設定記憶體速度,記憶體的預設速度為DDR3 1333,經由CPU-Z 1.56.2察看P67A-UD4自動讀取記憶體的工作時序為9-9-9-24-33,與Xpower DDR3-2133內部SPD值相同。

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*PCMark 05(v1.02 Patch)
Memory:9732

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*AID64_V1.50.1219 Beta:Cache & Memory Benchmark。
Memory:
Read(MB/s)-16841
Write(MB/s)-20506
Copy(MB/s)-18201
Latency(ns)-52.5

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*Sandra Lite 2011c (2011.1.17.30)
※Memory Bandwidth:
總體記憶體性能(GB/s)-17.6
整數 B/F iSSE2 記憶體頻寬(GB/s)-17.6
浮點數 B/F iSSE2 記憶體頻寬(GB/s)-17.62

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※Memory Latency:
Memory Access-Random
記憶體延遲(ns)-69.3
速度因素(n/a)-76.4
Memory Access-Linear
記憶體延遲(ns)-5.6
速度因素(n/a)-6.2

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※Cache and Memory:
緩存/記憶體頻寬(GB/s)-111.65
速度因素(n/a)-49

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MaxxMEM² - PreView v1.91
Memory-Copy(MB/s)-19663
Memory-Read(MB/s)-17274
Memory-Write(MB/s)-20351
Reached memory score(GB/s)-18.81
Memory Latency(ns)-57.3

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CrystalMark 2004R3
Memory
Read(MB/s)-18495.36
Write(MB/s)-8905.72
Read/Write(MB/s)-8953.11
Cache(MB/s)-140133

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下一頁-DDR3 1600 CL=9-9-9-24-33測試
[multipage=DDR3 1600 CL=9-9-9-24-33測試]








【DDR3 1600 CL=9-9-9-24-33測試】

直接於主機板BIOS內部設定記憶體速度為DDR3 1600,進入作業系統以CPU-Z 1.56.2察看P67A-UD4自動讀取記憶體的工作時序為9-9-9-24-33。

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*PCMark 05(v1.02 Patch)
Memory:10431

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*AID64_V1.50.1219 Beta:Cache & Memory Benchmark。
Memory:
Read(MB/s)-19468
Write(MB/s)-22126
Copy(MB/s)-20812
Latency(ns)-45.7

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*Sandra Lite 2011c (2011.1.17.30)
※Memory Bandwidth:
總體記憶體性能(GB/s)-21.24
整數 B/F iSSE2 記憶體頻寬(GB/s)-21.33
浮點數 B/F iSSE2 記憶體頻寬(GB/s)-21.25

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※Memory Latency:
Memory Access-Random
記憶體延遲(ns)-61.5
速度因素(n/a)-67.7
Memory Access-Linear
記憶體延遲(ns)-5.3
速度因素(n/a)-5.9

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※Cache and Memory:
緩存/記憶體頻寬(GB/s)-119.68
速度因素(n/a)-40.5

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MaxxMEM² - PreView v1.91
Memory-Copy(MB/s)-22377
Memory-Read(MB/s)-20002
Memory-Write(MB/s)-21547
Reached memory score(GB/s)-20.77
Memory Latency(ns)-50.8

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CrystalMark 2004R3
Memory
Read(MB/s)-21971.4
Write(MB/s)-10786.73
Read/Write(MB/s)-10871.96
Cache(MB/s)-155206

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下一頁-DDR3 2133 CL=9-10-9-24-51測試
[multipage=DDR3 2133 CL=9-10-9-24-51測試]






【DDR3 2133 CL=9-10-9-24-51測試】

直接於主機板BIOS內部選取X.M.P設定的第一組,記憶體速度就會提高至DDR3 2134。試過選擇System Memory Multiplier項目為21.33時,記憶體速度也會同樣提高至DDR3 2134,主機板自動設定記憶體時序也與X.M.P設定的第一組相同。

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選取第一組X.M.P設定下,進入作業系統以CPU-Z 1.56.2察看P67A-UD4自動讀取記憶體的工作時序為9-10-9-24-51,與Xpower DDR3-2133內部SPD值相同。

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*PCMark 05(v1.02 Patch)
Memory:11345

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*AID64_V1.50.1219 Beta:Cache & Memory Benchmark。
Memory:
Read(MB/s)-23629
Write(MB/s)-23187
Copy(MB/s)-24822
Latency(ns)-38.6

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*Sandra Lite 2011c (2011.1.17.30)
※Memory Bandwidth:
總體記憶體性能(GB/s)-27.38
整數 B/F iSSE2 記憶體頻寬(GB/s)-27.38
浮點數 B/F iSSE2 記憶體頻寬(GB/s)-27.37

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※Memory Latency:
Memory Access-Random
記憶體延遲(ns)-52.7
速度因素(n/a)-59.1
Memory Access-Linear
記憶體延遲(ns)-4.8
速度因素(n/a)-5.3

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※Cache and Memory:
緩存/記憶體頻寬(GB/s)-131.17
速度因素(n/a)-31.9

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MaxxMEM² - PreView v1.91
Memory-Copy(MB/s)-25820
Memory-Read(MB/s)-24617
Memory-Write(MB/s)-22546
Reached memory score(GB/s)-23.27
Memory Latency(ns)-43.8

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CrystalMark 2004R3
Memory
Read(MB/s)-28489.48
Write(MB/s)-13818.85
Read/Write(MB/s)-13929.3
Cache(MB/s)-178935

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下一頁-DDR3 2240測試
[multipage=DDR3 2240、DDR3 2236測試]


【DDR3 2240測試】

原先以為直接於主機板BIOS內部選取X.M.P設定的第二組,記憶體速度就會提高至DDR3 2240。結果P67A-UD4開放的記憶體比率最高只有21.33,即使選取第二組的X.M.P設定,記憶體速度也只是維持DDR3 2133。

那還有解決方案?透過提高CPU的BCLK頻率就能迎刃而解。問題是新一代Sandy Bridge處理器的BCLK頻率可超性不高,手上2500K處理器的BCLK頻率最多只能到105MHz,換算一下,根本沒法讓記憶體速度運作於DDR3 2240,所以這部份「殘念」!!!;oq;

試過選擇System Memory Multiplier項目為21.33時,記憶體速度也會同樣提高至DDR3 2134,主機板自動設定記憶體時序也與X.M.P設定的第一組相同。

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【DDR3 2236 CL=9-10-9-24-51測試】

沒關係,既然無法直接執行DDR3 2240測試,換個方式來試試,把i5 2500K處理器的BCLK頻率增加至105MHz,選取System Memory Multiplier項目為21.33。進入作業系統後,以CPU-Z 1.56.2軟體察看,記憶體速度為DDR3 2236,工作時序設定與第一組的X.M.P值相同。

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為了讓處理器運作穩定,所以處理器電壓設定為1.476V(CPU-Z 1.56.2軟體顯示)。

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*PCMark 05(v1.02 Patch)
Memory:11931

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*AID64_V1.50.1219 Beta:Cache & Memory Benchmark。
Memory:
Read(MB/s)-24688
Write(MB/s)-24353
Copy(MB/s)-26071
Latency(ns)-36.8

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*Sandra Lite 2011c (2011.1.17.30)
※Memory Bandwidth:
總體記憶體性能(GB/s)-28.75
整數 B/F iSSE2 記憶體頻寬(GB/s)-28.76
浮點數 B/F iSSE2 記憶體頻寬(GB/s)-28.74

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※Memory Latency:
Memory Access-Random
記憶體延遲(ns)-50.1
速度因素(n/a)-59.1
Memory Access-Linear
記憶體延遲(ns)-4.6
速度因素(n/a)-5.3

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※Cache and Memory:
緩存/記憶體頻寬(GB/s)-139
速度因素(n/a)-32.1

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MaxxMEM² - PreView v1.91
Memory-Copy(MB/s)-26853
Memory-Read(MB/s)-25770
Memory-Write(MB/s)-23734
Reached memory score(GB/s)-23.87
Memory Latency(ns)-41.7

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CrystalMark 2004R3
Memory
Read(MB/s)-29926.68
Write(MB/s)-14539.82
Read/Write(MB/s)-14653.65
Cache(MB/s)-154235

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DDR3 2236測試部分,額外加入LinX 0.6.4穩定燒機,沒有任何錯誤。

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下一頁-時脈、時序效能比較
[multipage=時脈、時序效能比較]




陸續跑完DDR3 1333、1600、2133、2236測試,把相關數據整理起來,比較一下不同時序、速度的效能、記憶體延遲時間差異。

先看在DDR3 1333、1600部份,可以瞭解相同時序下,記憶體速度提升之後,對於效能增加幅度。Sandra Lite 2011c (2011.1.17.30)的Memory Bandwidth、CrystalMark 2004R3項目所測得效能是提升最多,其次是MaxxMEM² - PreView v1.91項目。

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在DDR3 2133、2236部份,當相同時序設定下,記憶體速度提升至DDR3 2236之後,效能增加幅度略低於前面DDR3 1333、1600部份。

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調整工作時序,來獲得更高記憶體速度的情況,我把DDR3 1600來跟DDR3 2133、2236部份對比,瞭解記憶體效能增進影響。

由兩張數據比較來看,工作時序調降後,DDR3 1600到DDR3 2133的記憶體效能提升、減少記憶體延遲時間,明顯優於前面相同時序下的DDR3 1333、1600。

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如果處理器、主機板可以讓記憶體速度往上增加,那麼記憶體效能增進更為明顯。

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Xpower DDR3-2133 4GB KIT不是以低時序兼高速為主要訴求,但是具備兩組通過英特爾的X.M.P認證的DDR3 2133以及2286設定,還是能夠提供超頻記憶體之後的效能提升。用在INTEL平台可以隨手開啟INTEL X.M.P設定,馬上讓記憶體速度飛上去。;em25;

Xpower DDR3-2133 4GB KIT屬於超頻記憶體模組產品,售價比一般標準時脈的記憶體模組來的高貴,但是當我進行CPU超頻BCLK,它能夠提供的高時脈、穩定性,不怕跟不上BCLK頻率,導致需要調降記憶體速度,因而犧牲記憶體效能。

雖然最終記憶體速度只有超頻至DDR3 2236,而沒有體驗到DDR3 2286境界,但是兩者只有相差50Mhz,還算是有看到高時脈超頻所帶來效能增加。(有點安慰ing:D)

個人覺得美中不足一點,記憶體速度的預設標準只設定在DDR3 1333,這樣顯得有些保守,不如直接把預設標準速度提高至DDR3 1600,也省下進入BIOS手動指定記憶體速度的麻煩。

最後來個記憶體齊打交做為結束。

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