英特爾、美光撼動NAND Flash版圖 聯手推升傳輸速度 與三星、東芝激烈對決---讀取數據可達每秒200MB

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英特爾、美光撼動NAND Flash版圖 聯手推升傳輸速度 與三星、東芝激烈對決


吳宗翰/台北 2008/02/05


 英特爾(Intel)和美光(Micron)近日將對外公布一套由雙方所共同研發全新NAND型快閃記憶體(Flash)架構,新架構完全消除傳統NAND Flash傳輸瓶頸,大幅提升NAND Flash數據傳輸速度,較現有架構快上5倍,由於NAND Flash傳輸速度攸關廠商競局,此恐將顛覆整個NAND Flash市場版圖,撼動既有大廠三星電子(Samsung Electronics)及東芝(Toshiba)市場地位。

記憶體業者指出,NAND Flash傳輸速度扮演市場成敗重要關鍵,不僅攸關固態硬碟(Solid State Drive;SSD)及視訊卡傳輸效率,更將牽動整個NAND Flash市場版圖,事實上,目前合計佔全球NAND Flash晶片市場約60%的三星與東芝,2家公司於2007年時曾簽署1項協議,將採用同樣技術規範,共同開發速度更快且功能更強大NAND Flash,如今美光和英特爾聯合生產高速NAND Flash晶片,勢必將與全球頂尖NAND Flash晶片廠三星及東芝展開更激烈對決,並讓全球NAND Flash市場全面進入集團戰階段。


美光發言人Kirstin Bordner則表示,市場對於高頻寬消費性電子產品需求日增,該公司高速度NAND Flash比傳統產品速度要快上5倍,將可傳輸高清晰度電影。該技術係由英特爾與美光共同合資的IM Flash所開發8Gb SLC(Single-Level-Cell)儲存規格NAND Flash,讀取數據可達每秒200MB,寫入數據可達每秒100MB,相較之下,目前記憶體業者所生產NAND Flash,讀取數據為每秒40MB,寫入數據僅每秒20MB,速度明顯增加。
另外,美光NAND Flash新產品架構改變並改善NAND Flash讀寫電路,這是提高晶片速度主要原因,且達到ONFI(Open NAND Flash Interface)2.0技術規範所定義速度。目前美光已開始生產此款高速NAND Flash晶片樣品,預計2008年下半開始大量生產,美光將憑藉SSD業務全面發動攻勢,2008年投產配備MLC(Multi-Level-Cell)NAND Flash,並供應採35奈米製程技術SSD樣品。

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來源: DIGITIMES 科技網


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