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Micron 也完成了 GDDR6 記憶體設計

去年底 Micron 完成了 GDDR6 內部認證,現在已經正式發布了 GDDR6 記憶體,將於上半年開始投產,不過 Micron 的 GDDR6 並不像 Samsung 獨立設計,而是聯合了另外幾家晶片設計公司共同研發。Micron的 GDDR6 記憶體由 Micron 自己生產,PHY(物理層)則是 Rambus 設計的,記憶體主控由 Northwest Logic 提供,驗證IP由 Avery Design 完成。



micron_gddr6_1.jpg

在 Micron 官網中我們可以看到現在推出的 GDDR6 均只有8Gb版本,速率分10Gb/s(1.25V)、12Gb/s(1.25V)、12Gb/s(1.35V)、13Gb/s(1.35 V)和14Gb/s(1.35V),和 SK Hynix 有點類似,依然在容量和速度上不如三星。

micron_gddr6.png

多家公司聯合推出的方案可以讓 MicronGDDR6 應用在高效能網絡系統,如自動駕駛汽車、人工智能和5G網路設施等領域上,Micron 表示前幾代 GDDR 記憶體僅用於圖形市場,應用層面太過狹窄,所以 Micron 匯集了多家公司的方案來解決這個問題,使他們的 GDDR6 應用範圍更廣。

來源:http://www.expreview.com/59091.html

makemou1985

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這也是讓現在記憶體 越來越熱門搶手的原因吧

期待平民版記憶體
 
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