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Intel 宣布10nm製程細節, 並展望3nm物理極限

Intel今天在北京舉行了精尖製造日大會,會議上Intel正式宣布了10nm製程一些技術細節,並且在全球範圍內首次展出10nm的晶圓。Intel表示自家的10nm有信心完全勝過台積電、三星,另外還可能提供更加優秀的製程性能提升,而7nm製程技術研發已經完成,並展望3nm極限製程。



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雖然Intel的10nm製程來得晚,台積電、三星兩家均已經進入了量產階段,並且也有實際產品在市面流通,例如高通驍龍835 SoC。不過我們都知道台積電和三星在製程製程命名上耍小聰明,也就是“數字”壓制,在一些關鍵技術參數上都是落後於Intel技術指標的,之前的14nmm就出現過。

而這次Intel主動公佈出三家10nm製程相關技術參數指標,我們看到Intel在這些關鍵性技術指標上都是吊打其餘兩家,例如由於intel 10nm光刻技術製造出來的鰭片、柵極間隔更小,因此在晶體管密度上幾乎是台積電、三星的兩倍,達到了每平方毫米1億個晶體管,同時保持了邏輯單元高度低的優良傳統,在3D堆疊上更有優勢。

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Intel即將發布的桌面級第八代酷睿代號為Coffee Lake依然是使用14nm製程製造,14nm在Intel上已經整整用了三代之久,看來Intel在研發10nm製程上花費了大力氣才搞出來,以至於推出時間一拖再拖。10nm製程最早應該會用在低功耗移動平台上,代號為Cannon Lake的處理器上,桌面版的代號應該就是Ice Lake無疑。

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此外Intel在現場全球首秀了10nm晶圓,還介紹了Intel在製程上的技術路線圖,在路線圖中顯示10nm、7nm技術已經完成了研發,但是尚未投產。而Intel已經對於矽基半導體極限製程5nm、3nm進行前沿探索中,其中包括了一些比較先進、前沿具有探索性質的技術,包括了納米線晶體管、III-V族晶體管,3D堆疊、密集記憶體、密集互聯、EUV團成形、神經元計算以及自旋電子學。這些項目有可能將會成為研發5/7nm製程的關鍵性技術。

來源:http://www.expreview.com/57040.html

wwchen123

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Intel 10nm 是小輸 台積 7nm 一點, 人家量產在即耶!

也不用展望啥 5nm, 3nm 了, 10nm 以下桌機 CPU 的 roadmap
從未出現過.

明年推的 10nm 筆電用 CPU 也是為了對抗 S845.
 

Saxen

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準備轉換簡報模式~
 

sonefa

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我怎麼感覺是新牙膏的發布
 

qaz13579

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三星愛灌水是出名的大家都知道,搞得台GG後面也跟上去。
這點Intel倒是比較堅持。

不過你Intel步調再不快點的話,人家灌水灌到後面 7nm跟你10nm差不多,5nm總比你10nm還先進了吧(即便依舊是數字好聽)
 
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