電子科技 Samsung 成功生產 10nm 128Mbit SRAM記憶體

soothepain

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14/16nm 製程節點上,Samsung 比 TSMC 更早量產 FinFET 製程,
進度只比 Intel 落後,這一代的製程競逐賽就這麼定了。
在下一代 10nm 製程上,Samsung、TSMC 與 Intel 又開始較勁了,
Intel 比較謹慎,10nm製程的 Cannonlake 至少要到2017年Q3季度才能問世,
TSMC的10nm製程已經凍結研發,明年初試產,
而 Samsung 這次更進一步,率先使用 10nm FinFET 製程生產了 128Mbit SRAM 記憶體。

samsung_10nm_1.jpg



Samsung 日前宣布他們已經成功使用10nm FinFET製程生產了128Mbit SRAM快取記憶體,
後者通常用於處理器的快取(L1 / L2 / L3等等),速度比DRAM要快得多,
目前Intel、TSMC 的 SRAM 還是14、16nm製程。

Samsung 這麼快就生產出了10nm製程的SRAM快取記憶體說明他們的製程進展很順利。
根據 Samsung 所說,與14nm製程相比,其10nm SRAM核心面積縮小了37.5%,
如果應用於移動處理器,不僅性能更高,也有助於降低晶片核心面積。

至於10nm量產時間,Samsung 預計的時間點在2016年底,跟 TSMC 的樂觀預計差不多,
至少都比 Intel 的10nm製程進度要快,不過前提是這兩家公司都沒吹牛,而且製程進展一帆風順。





來源:http://www.expreview.com/44047.html
 

wwchen123

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Intel 不叫作比較謹慎! 而是為了成本, 各位想超車請便.

t 和 SS 之戰, 我大膽預測和這次差不多.

明年, 比較令人好奇的是 NAND flash 記憶卡, 是否真有 2TB 單張的推出!?
 

cz910021

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等s量產在說吧,能生產!=能量產
 

急速狂飆

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製程好效能低有屁用 I6就是很好的例子
 

cisco2012

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全世界就只有這幾家能夠在奈米上燒錢__贏得新技術!!

那也要國家__多方領域 個個的支持!!!!

反觀台灣的產業,,,,,,,,,,,,
 

george359

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拒用三星貨~~xd;0a155245;
 

arthur0905

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ac0001gba

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大家會說所以三星那個良率呢;smash;
等幾年後真的能量產了;director;
新聞先看看就好了;painkille
 
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