記憶體 Micron 美光推新 DDR5 伺服器 DRAM 為次世代伺服器平台做準備

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全新 DDR5伺服器記憶體大幅提高 AI、高效能運算和其他數據密集型應用程式和工作負載效能

重點特色:
  • 因應每個 CPU 核心數持續增加的趨勢,改進後的記憶體架構可提供雙倍於 DDR4[1] 的頻寬,以提高產品效率
  • 將JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2],較 DDR4 快了 1.5 倍[3]
  • 使用高達 64GB[4] 的模組,為記憶體密集型工作負載提供動力
  • 透過 DDR5 創新架構的更新和模組上電源管理功能達到整體最佳的系統操作
— 美光科技 (NASDAQ 代號:MU),今日宣佈即將透過商業和工業通路合作夥伴推出美光 DDR5 伺服器DRAM,以支援經業界認證的次世代 Intel® 和 AMD® 伺服器和工作站平台。在記憶體進入 DDR5 世代後,系統效能比 DDR4 DRAM 提高了 85%[5]。美光的全新DDR5 伺服器記憶體大幅提高 AI、高效能運算 (HPC) 和數據密集型應用程式的效能,這些應用程式需要比 DDR4 技術應用支援更多的 CPU 運算容量和更高的記憶體頻寬。

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美光商品事業群副總裁暨總經理 Teresa Kelley 表示:「隨著資料呈現等比級數成長,分析與洞察這些資料的需求對於企業運作來說極為重要。資料中心營運商需要透過先進的記憶體功能和提升處理器來最大程度提高平台效能。美光 DDR5伺服器DRAM提供絕佳的頻寬,以處理記憶體密集型應用程式。記憶體產業持續轉換至 DDR5 世代,美光則一直走在技術的最前線,並致力於協助資料中心客戶和通路合作夥伴進行DDR5伺服器DRAM認證和準備作業。」

身為全球記憶體產業的領導企業,美光從最開始就與 JEDEC 合作設計 DDR5 規格,並透過業界唯一的 DDR5 生態系統支援計畫──美光 DDR5 技術應用支援計畫 (TEP) 在廣泛的市場中促進早期 DDR5 認證。美光的 DDR5 TEP 擁有來自全球 160 多家公司中的 400 多名成員,旨在為其參與者簡化 DDR5 記憶體設計和整合。所有的美光DDR5伺服器DRAM已針對次世代產品系列進行最佳化,通過元件和模組測試,以符合關鍵任務伺服器標準。

支援 DDR5的伺服器正在資料中心環境中進行評估和測試,預計將在 2022 年底前加速採用。DDR5的初始資料速率為 4800MT/s,不過在未來這個速率預計會增加,藉此滿足資料中心工作負載的需求。美光 DDR5伺服器記憶體目前可透過全球商業和工業通路合作夥伴立即取得。



[1]DDR5 4800MT/s 提供的頻寬估計是 DDR4 3200MT/s 模組的 1.87 倍。
[2]初始啟動速度從 4800MT/s 開始,預計在未來會提升至為 5600 和 6400。
[3]DDR5 4800MT/s 的啟動速度比 DDR4 3200MT/s 模組快 1.5 倍 (50%)。
[4] 依據使用 16Gb 裸片密度的初始啟動容量。
[5] DDR5 4800MT/s 提供的頻寬估計是 DDR4 3200MT/s 模組的 1.87 倍。
 
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