記憶體 Micron DDR5 記憶體現可支援第 4 代 AMD EPYC 處理器

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該組合可為特定 HPC 高效能運算記憶體工作負載

實現高達 2 倍的性能提升

美光科技(Nasdaq:MU)宣佈為資料中心所打造的 DDR5 記憶體現已上市,並可支援已為全新 AMD EPYC™ 9004 系列處理器進行驗證的資料中心。隨著現代伺服器將更多處理核心裝入 CPU,每個 CPU 核心的記憶體頻寬不斷減少。美光 DDR5 提供比前幾代更高的頻寬,提升可靠性及擴展性,進而緩解效能瓶頸。第 4 代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的組合在 STREAM 測試基準上提供高達 2 倍的記憶體頻寬,並在特定 HPC 工作負載上實現高達 2 倍的性能提升,如計算流體力學(OpenFOAM)、天氣研究和預報(WRF)建模及 CP2K 分子動力學。

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美光資深副總裁暨運算和網路事業部總經理 Raj Hazra 表示:「美光持續引領業界向 DDR5 轉型,日趨依賴記憶體的演算法需要更強大的記憶體性能及可靠性,才得以從大量數據中獲得洞見資訊。DDR5 將系統記憶體能力向前邁進一大步,以支持這些演算法運作,並持續為下一代資料中心基礎架構創造全新價值。」

AMD EPYC 產品管理企業副總裁 Ram Peddibhotla 表示:「第 4 代 AMD EPYC 處理器不斷提升現代資料中心工作負載性能的標準,同時提供卓越的功耗效率。第 4 代 AMD EPYC 處理器將透過加速實現價值、降低總體擁有成本以及幫助企業實現永續發展目標,促進客戶資料中心營運轉型。」

以 STREAM 測試為基準,搭載美光4800 MT/s DDR5的第 4 代 AMD EPYC 處理器系統可達到每個插槽 378 GB/s 的峰值記憶體頻寬,與搭載美光 3200 MT/s DDR4 的第 3 代 AMD EPYC 處理器系統的峰值記憶體頻寬189 GB/s相比,可帶來足足一倍的系統記憶體頻寬成長。

美光也與 AMD 合作,在搭載美光 DDR4 的第 3 代 AMD EPYC 處理器及搭載美光 DDR5 的第 4代 AMD EPYC 處理器上針對三種 HPC 工作負載(OpenFOAM、WRF 和 CP2K)進行評估,並發現搭載美光 DDR5 的第 4 代 AMD EPYC 處理器平台可使 OpenFOAM 的性能提升 2.4 倍、使 WRF 性能提升 2.1 倍,使 CP2K 提升 2.03 倍。

聯想基礎設施解決方案事業部高效能運算與人工智慧技術副總裁 Scott Tease 表示:「HPC 和 AI 中的建模、模擬、機器學習工作負載的持續成長,意味著我們的客戶所需的記憶體解決方案能夠極大化有效頻寬。我們透過與美光從開發到驗證階段全面的合作,並將這些高性能需求的工作負載納入考量,造就了次世代平台的誕生,藉由 DDR5 加速實現記憶體效能的新紀元。」

美光在 JEDEC 制定 DDR5 記憶體規格的過程中扮演舉足輕重的角色,且為首批向客戶提供 DDR5 樣品的公司之一。美光的技術應用支援計畫(TEP)亦為業界首創,該計畫使系統設計者能夠提前取得關鍵的內部資源,並能進一步執行 DDR5 驗證及認證程序。美光致力於與遍布生態系統的供應鏈夥伴合作,並將持續投資於我們領先業界的技術及產品藍圖。

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