儲存設備 Intel 宣布 3D PLC NAND , 堅持浮柵型結構

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雖然現在 QLC 快閃記憶體還沒大規模普及,市場上採用 QLC 快閃記憶體的 SSD 數量還不多,然而快閃記憶體廠已經在籌備下一代的 PLC,上個月 Toshiba 已經在國際快閃記憶體峰會展示過自己的 PLC 計劃,現在 Intel 也發布了。

Intel 在今天上午在韓國首爾舉行的一場儲存會議上宣布的,他們表示未來的 PLC 快閃記憶體依然會採用浮柵型結構,其他廠家在 3D 快閃記憶體都轉向使用的電荷捕獲型,因為他們認為後者可以有效提升快閃記憶體耐久度,不過 Intel 認為浮柵型結構在讀取抗干擾、數據保持期上有著更好的表現,有著更長的讀取窗口,而且隨著儲存密度的增加,浮柵型結構對增加密度更為容易。

Intel_3DNAND_1.jpg


PLC 快閃記憶體每個儲存單元會存5位數據,而它的電壓狀態會從2的4次方增加到2的5次方也就是32種,如果真如 Intel 所說那樣浮柵型結構在抗干擾上有優勢的話,它確實更適合用來製作 PLC。不過 Intel 並沒有說明何時會有 PLC 快閃記憶體的產品應用,其他廠商其實也一樣,估計至少兩年內大家應該都還看不到成品。

Intel_3DNAND_2.jpg








來源:https://www.expreview.com/70707.html
 
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