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來源: DIGITIMES 科技網
http://www.digitimes.com.tw/
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史上頭遭！DRAM廠虧損將超過營收
今年首季將破天荒出現
吳宗翰／台北 2008/01/11
台系DRAM廠力晶、茂德等2008年第1季虧損金額恐將首度超過當季營收，創下半導體產業首例，至於南亞科虧損金額與營收間差距亦將縮小。半導體業者表示，即便在2001年全球DRAM市場非常不景氣時，這種虧損超過營收情況亦未曾發生，但2008年第1季對於台系DRAM廠而言，恐將面臨「做愈多、賠愈多」窘境，DRAM廠營運出現史無前例的慘況。
2007年第4季包括力晶、茂德及南亞科合計虧損約新台幣250億元，由於產能持續開出，價格又無法提升，各DRAM廠虧損將持續擴大。記憶體業者指出，2008年第1季力晶產出量將伴隨瑞晶R1廠產能續增，以及本身製程技術轉至70奈米，產能增加已難避免；茂德中科廠Fab 4產能亦持續開出，同樣無法避免產能增加；南亞科則在華亞科產能持續轉至70奈米製程，以及南亞科12吋廠產能續增，想看到產能降低是不可能任務。
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史上頭遭！DRAM廠虧損將超過營收
今年首季將破天荒出現
吳宗翰／台北 2008/01/11
台系DRAM廠力晶、茂德等2008年第1季虧損金額恐將首度超過當季營收，創下半導體產業首例，至於南亞科虧損金額與營收間差距亦將縮小。半導體業者表示，即便在2001年全球DRAM市場非常不景氣時，這種虧損超過營收情況亦未曾發生，但2008年第1季對於台系DRAM廠而言，恐將面臨「做愈多、賠愈多」窘境，DRAM廠營運出現史無前例的慘況。
2007年第4季包括力晶、茂德及南亞科合計虧損約新台幣250億元，由於產能持續開出，價格又無法提升，各DRAM廠虧損將持續擴大。記憶體業者指出，2008年第1季力晶產出量將伴隨瑞晶R1廠產能續增，以及本身製程技術轉至70奈米，產能增加已難避免；茂德中科廠Fab 4產能亦持續開出，同樣無法避免產能增加；南亞科則在華亞科產能持續轉至70奈米製程，以及南亞科12吋廠產能續增，想看到產能降低是不可能任務。
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