儲存設備 SK Hynix 公布 4D NAND, 96層堆棧 64TB容量

本帖由 soothepain2018-08-10 發佈。版面名稱:新品資訊

瀏覽:1,820

By soothepain on 2018-08-10 ,10:12
  1. soothepain

    soothepain full loading

    註冊:
    2003-09-17
    文章:
    14,571
    讚:
    1,084
    SK Hynix 最近在 FMS 2018 會議上宣布了世界首個 4D NAND 技術,這名字聽起來就比現在的 3D NAND 更先進,堆棧層數將達到了96層,有 TLC 與 QLC 類型,核心容量可達1Tb,U.2規格最高可做到64TB容量。

    [​IMG]

    這次的FMS會議上,幾家 NAND 廠商的技術都有個共同點,那就是在繼續提高堆棧層數以增加 NAND 的容量密度,減少外圍電路所佔的比例。SK Hynix 的4D其實也是3D NAND,它是把 NAND 快閃記憶體的 Cell 單元PUC(Peri Under Cell)電路從之前的位置挪到了底部,所以叫了 4D NAND,本質上還是 3D NAND,4D NAND 的命名應該只是為了商業行銷。

    SK Hynix 有 TLC 及 QLC 兩種規格,首款產品是512Gb核心的TLC,96層堆棧,I/O接口速度1.2Gbps,移動封裝尺寸為11.5x13mm2,可以取代兩顆256Gb晶片,同時性能相近,這個快閃記憶體預計在今年Q4季度開始出樣。
    [​IMG]


    512Gb核心容量之外,下一步還有1Tb核心容量的TLC,也是94層堆棧,IO速度1.2Gbps,BGA封裝面積16x20mm2,單顆最大容量2TB,U.2規格下SSD最大64TB,這種快閃記憶體預計明年上半年出樣。
    [​IMG]


    除了 TLC 類型還有 QLC,也是96層堆棧,IO速度也有1.2Gbps,核心容量能達到1Tb,SK Hynix 的 QLC 晶圓密度比 TLC 高出20%以上,這種快閃記憶體主要用於取代 HDD,預計明年下半年開始出樣。
    [​IMG]


    晶片面積方面,V5 4D NAND 的面積比目前 V4 72層堆棧的3D NAND低了30%,生產效率可提升20%。
    [​IMG]


    效能方面,V5 512Gb 的 4D NAND TLC 效能比 V4 72層的 3D TLC 高了25-30%,能效提升150%。
    [​IMG]


    未來的 4D NAND 還會發展到V6代,堆棧層數提升到128層,更遠的未來還可以提升到2xx層甚至5xx層,不過這些就沒什麼時間表了。
    [​IMG]








    來源:
    https://www.anandtech.com/show/1318...8-sk-hynix-keynote-live-blog-nand-development
    http://www.expreview.com/63338.html
     

評論

本帖由 soothepain2018-08-10 發佈。版面名稱:新品資訊

分享此頁面