2018年各大 NAND 廠都已經大規模量產了64層堆棧的 3D NAND，以 TLC 為主，下一代快閃記憶體的堆棧層數要繼續提升50%達到96層。三星今天宣布量產第五代 V-NAND 快閃記憶體，業界首發 Toggle DDR 4.0 接口，速率達到了1.4Gbps，堆棧層數超過90層。此外，三星還準備推出1Tb核心容量以及 QLC 結構的 V-NAND 快閃記憶體。
三星的 V-NAND 是 3D NAND 中的一種，目前主力生產的是第四代 V-NAND，堆棧層數64層，現在量產的是第五代 V-NAND 快閃記憶體，核心容量256Gb並不算高，但是各項指標很強大，它首發支持 Toggle DDR 4.0 接口，傳輸速度達到了1.4Gbps，相比64層堆棧的 V-NAND 快閃記憶體提升了40%。
第五代 V-NAND的性能、功耗也進一步優化，工作電壓從1.8V降至1.2V，同時寫入速度也是目前最快的，只有500us，比上一代快閃記憶體提升了30%，讀取信號的反應時間也縮短到了50us。
三星的第五代 V-NAND 快閃記憶體內部堆棧了超過90層 CTF Cell 單元，是目前堆棧層數最高的，這些儲存單元通過微通道孔洞連接，每個孔洞只有幾百納米寬，總計包含超過850億個CTF單元，每個單元可以儲存三位數據（TLC）。
此外，第五代 V-NAND 快閃記憶體在製程上也做了優化，製造生產效率提升了30%，先進的製程使得每個快閃記憶體單元的高度降低了20%，減少了單位之間的竄擾，提高了數據處理的效率。
除了第五代 V-NAND 快閃記憶體之外，三星還準備推出核心容量高達1Tb的 NAND 及 QLC 快閃記憶體，繼續推動下一代快閃記憶體發展。
三星目前正在加大第五代 V-NAND 快閃記憶體的量產，以便滿足高密度儲存領域，如超算、企業伺服器及移動市場的需求。
來源：http://www.expreview.com/62686.html
三星的 V-NAND 是 3D NAND 中的一種，目前主力生產的是第四代 V-NAND，堆棧層數64層，現在量產的是第五代 V-NAND 快閃記憶體，核心容量256Gb並不算高，但是各項指標很強大，它首發支持 Toggle DDR 4.0 接口，傳輸速度達到了1.4Gbps，相比64層堆棧的 V-NAND 快閃記憶體提升了40%。
第五代 V-NAND的性能、功耗也進一步優化，工作電壓從1.8V降至1.2V，同時寫入速度也是目前最快的，只有500us，比上一代快閃記憶體提升了30%，讀取信號的反應時間也縮短到了50us。
三星的第五代 V-NAND 快閃記憶體內部堆棧了超過90層 CTF Cell 單元，是目前堆棧層數最高的，這些儲存單元通過微通道孔洞連接，每個孔洞只有幾百納米寬，總計包含超過850億個CTF單元，每個單元可以儲存三位數據（TLC）。
此外，第五代 V-NAND 快閃記憶體在製程上也做了優化，製造生產效率提升了30%，先進的製程使得每個快閃記憶體單元的高度降低了20%，減少了單位之間的竄擾，提高了數據處理的效率。
除了第五代 V-NAND 快閃記憶體之外，三星還準備推出核心容量高達1Tb的 NAND 及 QLC 快閃記憶體，繼續推動下一代快閃記憶體發展。
三星目前正在加大第五代 V-NAND 快閃記憶體的量產，以便滿足高密度儲存領域，如超算、企業伺服器及移動市場的需求。
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