記憶體 Intel 今年推 NVDIMM 3D XPoint 記憶體

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Intel 3D XPoint 目前在 SSD 已經有一些應用,而今年將會推出 NVDIMM 標準的 3D XPoint 記憶體,容量更大,而且斷電也不會遺失數據。

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DRAM 記憶體、NAND 快閃記憶體的區別,簡單說就是 DRAM 速度極快,延遲是奈秒級的,但記憶體容量小(相對來說),斷電就損失數據,而 NAND 容量大、價格低,不過延遲是微秒級的,效能遠不如記憶體。JEDEC 標準化組織之前推出了 NVDIMM 記憶體標準,也就是一種斷電不遺失數據、使用記憶體封裝格式的產品,介於 DRAM 與 NAND 之間。

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Intel Xeon 處理器/數據中心市場部經理Lisa Spellman日前在日本出席了一場公開活動,介紹了 Intel 在伺服器、數據中心市場上的新進展,PC Watach網站做了詳細報導,除了新一代 Xeon 處理器之外,Intel 透露了基於 3D XPoint 的 NVDIMM 記憶體進展。

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根據英特爾所說,基於3D XPoint閃存的NVDIMM內存預計今年中開始發貨,將用於下一代代號Cascade Lake的Xeon Scale處理器平台上。

不過原文並沒有提及英特爾的NVDIMM內存的具體規格,首圖是NVDIMM實物的樣子,容量、性能依然未知。

採用 3D NAND 快閃記憶體的 SSD
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採用 3D XPoint 的 SSD
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NVDIMM開始替代記憶體
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資料中心需要處裡的數據爆炸性成長
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來源:
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1122322.html
http://www.expreview.com/61415.html
 
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